розробки
високого рівня напівпровідникових приладів.
При використанні дає підвищені
техніко-економічні показники. Збільшується
вихід придатних інтегральних схем в 1,2 раза.
Автори розробки: Шаповалов В.П. та інш. (кафедра
мікроелектроніки та напівпровідникових
приладів);
феротитан
ФТШ-45. Забезпечує формування металу зварного
шва з низькою кількістю шкідливих домішок.
Автори розробки: Попов В.С.,Білоник І.М.,Бережний
С.П. (кафедра обладнання і технології
зварювального виробництва);